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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Microstructure and photoluminescence of a-SiOx : H
作者: Ma ZX;  Liao XB;  Cheng WC;  He J;  Yue GZ;  Wang YQ;  Kong GL
发表日期: 1998
摘要: Two strong photoluminescence (PL) bands in the spectral range of 550-900 nm have been observed at room temperature from a series of a-SiOx:H films fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique. One is composed of a main band in the red-light region and a shoulder; the other is located at about 850 nm, only found after 1170 degrees C annealing in N-2 atmosphere. In conjunction with infrared (IR) and micro-Raman spectra, it is thought that the two PL bands are associated with a-Si clusters in the SiOx network and nanocrystalline silicon in SiO2, respectively.
KOS主题词: QCE;  Photoluminescence;  Silicon;  Matrix;  system;  Photography--Films;  Finite volume method;  Oxides
刊名: SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ma ZX; Liao XB; Cheng WC; He J; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL .Microstructure and photoluminescence of a-SiOx : H ,SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS,1998,41(9):1002-1008
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