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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Relationship between deep-level centers and stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide
作者: Lin LY;  Chen NF;  Zhong XR;  He HJ;  Li CJ
发表日期: 1998
摘要: Experimental results have shown the fact that the deep-level centers in semi-insulating GaAs decrease with the improvement in stoichiometry. The electrical resistivity doubles when the concentration of EL2 centers decreases to a half. The microgravity-growth experiments also show that improved crystal stoichiometry results in a decrease of deep-level centers. (C) 1998 American Institute of Physics. [S0021-8979(98)04921-4].
KOS主题词: Defects;  Segregation;  Separation;  Carbon;  Bore;  Bore
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Lin LY; Chen NF; Zhong XR; He HJ; Li CJ .Relationship between deep-level centers and stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1998,84(10):5826-5827
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