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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structure and photoluminescence of InGaAs self-assembled quantum dots grown on InP(001)
作者: Liu FQ;  Wang ZG;  Wu J;  Xu B;  Gong Q;  Liang JB
发表日期: 1999
摘要: Molecular beam epitaxy has been used for growing InGaAs self-assembled quantum dots (QDs) in InAlAs on an InP(001) substrate. Nominal deposition of 9.6 monolayers of In0.9Ga0.1As results in QDs of similar to 6.5 nm high with an areal density of 3.3 X 10(11) cm(-2). Conspicuous bimodal size distribution is identified, and is responsible for the observed QDs photoluminescence (PL) emission with two peaks at 0.627 and 0.657 eV. Good agreement is achieved between the observed PL peak energies and calculated results. (C) 1999 American Institute of Physics. [S00218979(99)00101-2].
KOS主题词: Vapor phase epitaxy;  Injection;  patterns;  Islands
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu FQ; Wang ZG; Wu J; Xu B; Gong Q; Liang JB .Structure and photoluminescence of InGaAs self-assembled quantum dots grown on InP(001) ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1999,85(1):619-621
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