高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence properties of SiGe/Si single wells with fluctuating structural parameters
作者: Liu JP;  Kong MY;  Si JJ;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ
发表日期: 1998
摘要: Photoluminescence properties of SiGe/Si single wells with fluctuating structural parameters are studied. Four SiGe/Si single wells have been grown on Si(001) at 750 degrees C by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy with varied disilane cracking-temperatures. Intense NP and TO-phonon replicas are detected up to 70 K in the photoluminescence spectra and the activation energy of the thermal quenching of the photoluminescence is 28 +/- 4 meV. The high growth temperature and purposeful introduction of fluctuation of structural parameters may be responsible for the improvement of the thermal quenching property.
KOS主题词: Layers
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
938.pdf83KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Liu JP; Kong MY; Si JJ; Huang DD; Li JP; Sun DZ .Photoluminescence properties of SiGe/Si single wells with fluctuating structural parameters ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,1998,31(23):L85-L87
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Liu JP]的文章
 [Kong MY]的文章
 [Si JJ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Liu JP]的文章
 [Kong MY]的文章
 [Si JJ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发