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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Native-oxidized InAlAs blocking layer buried heterostructure InGaAsP-InP MQW laser for high-temperature operation
作者: Jie WZ;  Jin CS;  Fan Z;  Jie WX;  Wei W;  Han WR
发表日期: 1999
摘要: A novel idea of InAlAs native oxide utilized to replace the p-n-p-n thyristor blocking layer and improve the high-temperature performance of buried heterostructure InGaAsP-InP laser is first proposed and demonstrated. A characteristic temperature (T-0) of 50 K is achieved from an InA1As native oxide buried heterostructure (NOBH) InGaAsP-InP multiquantum-well laser with 1.5-mu m-wide diode leakage passage path. The threshold current and slope efficiency of NOBH laser changes from 5.6 mA, 0.23 mW/mA to 28 mA, 0.11 mW/mA with the operating temperature changing from 20 degrees C to 100 degrees C. It is comparable to conventional p-n reverse biased junction BH laser with minimized diode leakage current, and is much better than the buried ridge strip with proton implanted laterally confinement laser.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Insulating materials;  leakage currents;  Oxidation;  quantum cascade lasers;  Semiconductors--Junctions;  Temperature effects;  Leakage current;  Diodes
刊名: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Jie WZ; Jin CS; Fan Z; Jie WX; Wei W; Han WR .Native-oxidized InAlAs blocking layer buried heterostructure InGaAsP-InP MQW laser for high-temperature operation ,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,1999,11(1):3-5
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