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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials
作者: Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG
发表日期: 1998
摘要: Gas source molecular beam epitaxy has been used to grow Si1-xGex alloys and Si1-xGex/Si multi-quantum wells (MQWs) on (100) Si substrates with Si2H6 and GeH4 as sources. Heterostructures and MQWs with mirror-like surface morphology, good crystalline qualify, and abrupt interfaces have been studied by a variety of in situ and ex situ techniques. The structural stability and strain relaxation in Si1-xGex/Si heterostructures have been investigated, and compared to that in the As ion-implanted Si1-xGex epilayers. The results show that the strain relaxation mechanism of the non-implanted Si1-xGex epilayers is different from that of the As ion-implanted Si1-xGex epilayers.
KOS主题词: thermal stability;  strain relaxation;  Heterostructures
刊名: REVISTA MEXICANA DE FISICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG .Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials ,REVISTA MEXICANA DE FISICA ,1998,44(0):93-96
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