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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth and characterization of GaN on LiGaO2
作者: Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC
发表日期: 1998
摘要: The nearly lattice-matched (0 0 1)LiGaO2 substrates have been used for the growth of GaN by LP-MOVPE, GaN epilayers have been grown on both domains at very low input partial pressure of hydrogen and relatively low growth temperature. The differences in the growth rate, crystal and optical qualities of hexagonal GaN epilayers grown on LiGaO2 substrate with two polar domains are investigated. LiGaO2 single crystal with a single domain structure and an adequate surface plane is a promising substrate for the growth of high quality of hexagonal GaN thin films. (C) 1998 Published by Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Substrate;  Diodes
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Duan SK; Teng XG; Han PD; Lu DC .Growth and characterization of GaN on LiGaO2 ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1998,195(1-4):304-308
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