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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Neutron irradiation-infrared based measurement method for interstitial oxygen in heavily boron-doped silicon
作者: Wang QY;  Ma ZY;  Cai TH;  Yu YH;  Lin LY
发表日期: 1999
摘要: A novel method, based on an infrared absorption and neutron irradiation technique, has been developed for the determination of interstitial oxygen in heavily boron-doped silicon. The new procedure utilizes fast neutron irradiated silicon wafer specimens. On fast neutron irradiation, the free carriers of high concentration in silicon can be trapped by the irradiated defects and the resistivity increased. The resulting calibration curve for the measurement of interstitial oxygen in boron-doped silicon has been established on the basis of the annealing behaviour of irradiated boron-doped CZ silicon.
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang QY; Ma ZY; Cai TH; Yu YH; Lin LY .Neutron irradiation-infrared based measurement method for interstitial oxygen in heavily boron-doped silicon ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,1999,14(1):74-76
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