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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Quantitative analysis of excitonic photoluminescence in nitrogen-doped ZnSe epilayers
作者: Zhu ZM;  Li GH;  Liu NZ;  Wang SZ;  Han HX;  Wang ZP
发表日期: 1999
摘要: We have investigated the photoluminescence (PL) properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers grown by molecular beam epitaxy using a nitrogen radio frequency-plasma source. The PL data shows that the relative intensity of the donor-bound exciton (I-2) emission to the acceptor-bound exciton (I-1) emission strongly depends on both the excitation power and the temperature. This result is explained by a thermalization model of the bound exciton which involved in the capture and emission between the neutral donor bound exciton, the neutral acceptor bound exciton and the free exciton. Quantitative analysis with the proposed mechanism is in good agreement with the experimental data. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0021-8979(99)09102-1].
KOS主题词: atomic layer deposition;  Semiconductor lasers;  Acceptors;  Development
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhu ZM; Li GH; Liu NZ; Wang SZ; Han HX; Wang ZP .Quantitative analysis of excitonic photoluminescence in nitrogen-doped ZnSe epilayers ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1999,85(3):1775-1779
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