高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth mode and strain relaxation of InAs on InP (111)A grown by molecular beam epitaxy
作者: Li HX;  Daniels-Race T;  Wang ZG
发表日期: 1999
摘要: Growth mode and strain relaxation of molecular-beam-epitaxy grown InAs/InAlAs/InP (111)A system have been investigated using reflection high-energy electron diffraction, transmission electron microscopy, atomic force microscopy, and photoluminescence measurements. In direct contrast to the well-studied InAs/GaAs system, our experimental results show that the InAs grown on InAlAs/InP (111)A follows the Stranski-Krastanov mode. Both self-organized InAs quantum dots and relaxed InAs islands are formed depending on the InAs coverage. Intense luminescence signals from both the InAs quantum dots and wetting layer are observed. The luminescence efficiency of (111)A samples is comparable to that of (001) samples, suggesting the feasibility of fabricating quantum dot optoelectronic devices on InP (111)A surfaces. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0003-6951(99)01010-4].
KOS主题词: Gallium arsenide;  Germanium
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
914.pdf211KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Li HX; Daniels-Race T; Wang ZG .Growth mode and strain relaxation of InAs on InP (111)A grown by molecular beam epitaxy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,1999,74(10):1388-1390
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Li HX]的文章
 [Daniels-Race T]的文章
 [Wang ZG]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Li HX]的文章
 [Daniels-Race T]的文章
 [Wang ZG]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发