高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Radiative transition in delta-doped GaAs superlattices
作者: Cheng WC;  Xia JB;  Li GH;  Tan PH;  Zheng HZ
发表日期: 1999
摘要: Radiative transition in delta-doped GaAs superlattices with a weak coupling was investigted at low temperature, The experimental results show that the transitions from both electron ground state and excited state to hole state have been observed, Based on the effective mass approximation theory, the structures of energy band and photoluminescence spectra for the samples used were calculated. Comparing the experiment with theory, a good agreement was abtained.
KOS主题词: metallic superlattices;  Radiative transition;  Energy bands;  Metric system;  Silicon
刊名: JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
911.pdf107KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Cheng WC; Xia JB; Li GH; Tan PH; Zheng HZ .Radiative transition in delta-doped GaAs superlattices ,JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES ,1999,18(1):89-92
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Cheng WC]的文章
 [Xia JB]的文章
 [Li GH]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Cheng WC]的文章
 [Xia JB]的文章
 [Li GH]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发