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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers
作者: Zhu ZM;  Liu NZ;  Li GH;  Han HX;  Wang ZP;  Wang SZ;  He L;  Ji RB;  Wu Y
发表日期: 1999
摘要: The photoluminescence (PL) properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers grown on semi-insulating GaAs(100) substrates by MBE using a rf-plasma source for N doping were investigated. The PL peak which can be related to N acceptor was observed in the PL spectra of ZnSe:N smaples. At 10K, as the excitation power density increases, the energy of donor-acceptor pair(DAP) emission shows a blue-shift and its intensity tends to saturate. As the temperature increases over a range from 10K to 300K, the relative PL intensity of donor bound exciton to that of the acceptor bound exciton increases due to the transfer between two bound excitons.
KOS主题词: Photoluminescence;  atomic layer deposition;  temperature dependence;  Semiconductor lasers;  Luminescence;  Acceptors
刊名: JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhu ZM; Liu NZ; Li GH; Han HX; Wang ZP; Wang SZ; He L; Ji RB; Wu Y .Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers ,JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES ,1999,18(1):13-18
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