高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A new interface anisotropic potential of zinc-blende semiconductor interface induced by lattice mismatch
作者: Chen YH;  Wang ZG;  Yang ZY
发表日期: 1999
摘要: A new interface anisotropic potential, which is proportional to the lattice mismatch of interfaces and has no fitting parameter, has been deduced for (001) zinc-blende semiconductor interfaces. The comparison with other interface models is given for GaAs/AlAs and GaAs/InAs interfaces. The strong influence of the interface anisotropic potential on the inplane optical anisotropy of GaAs/AlGaAs low dimensional structures is demonstrated theoretically within the envelope function approximation.
KOS主题词: Quantum wells;  Optical anisotropy;  Symmetry;  strain
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
906.pdf276KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Chen YH; Wang ZG; Yang ZY .A new interface anisotropic potential of zinc-blende semiconductor interface induced by lattice mismatch ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1999,16(1):56-58
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Chen YH]的文章
 [Wang ZG]的文章
 [Yang ZY]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Chen YH]的文章
 [Wang ZG]的文章
 [Yang ZY]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发