高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Cubic InGaN grown by MOCVD
作者: Li JB;  Yang H;  Zheng LX;  Xu DP;  Wang YT
发表日期: 1999
摘要: We report on the growth of high-quality cubic phase InGaN on GaAs by MOCVD. The cubic InGaN layers are grown on cubic GaN buffer layers on GaAs (001) substrates. The surface morphology of the films are mirror-like. The cubic nature of the InGaN films is obtained by Xray diffraction (XRD) measurements. The InGaN layers show strong photoluminescence (PL) at room temperature. Neither emission peak from wurtzite GaN nor yellow luminescence is observed in our films. The highest In content as determined by XRD is about 17% with an PL emission wavelength of 450 nm. The FWHM of the cubic InGaN PL peak are 153 meV and 216 meV for 427 nm and 450 nm emissions, respectively. It is found that the In compositions determined from XRD are not in agreement with those estimated from PL measurements. The reasons for this disagreement are discussed.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Gallium nitride;  Gallium arsenide
刊名: MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

条目无相关文件。



许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Li JB; Yang H; Zheng LX; Xu DP; Wang YT .Cubic InGaN grown by MOCVD ,MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH,1999,4(0):Art.No.G3.25
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Li JB]的文章
 [Yang H]的文章
 [Zheng LX]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Li JB]的文章
 [Yang H]的文章
 [Zheng LX]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发