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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Si doping effect on self-organized InAs/GaAs quantum dots
作者: Zhao Q;  Feng SL;  Ning D;  Zhu HJ;  Wang ZM;  Deng YM
发表日期: 1999
摘要: In situ ultra high vacuum scanning probe microscopy (SPM) and low-temperature :photoluminescence (PL) studies have been performed on Si-doped self-organized InAs/GaAs quantum dots samples to investigate the Si doping effects. Remarkably, when Si is doped in the sample, according to the SPM images, more small dots are formed when compared with images from undoped samples. On the PL spectra, high-energy band tail which correspond to the small dots appear, with increasing doping concentration, the integral intensity of the high-energy band tail account for the whole peak increase too. We relate this phenomenon to a model that takes the Si atom as the nucleation center for QDs formation. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Scanning probe microscopy;  Atomic force microscopy;  Development;  Gallium arsenide;  Islands
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao Q; Feng SL; Ning D; Zhu HJ; Wang ZM; Deng YM .Si doping effect on self-organized InAs/GaAs quantum dots ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1999,200(3-4):603-607
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