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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Scanning electron microscope studies of cubic AlxGa1-xN films grown on GaAs(100) by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE)
作者: Xu DP;  Yang H;  Zhao DG;  Li JB;  Zheng LX;  Wang YT;  Li SF;  Duan LH;  Wu RH
发表日期: 1999
摘要: Cubic AlGaN films were grown on GaAs(100) substrates by MOVPE. Scanning electron microscope and photoluminescence were used to analyze the surface morphology and the crystalline quality of the epitaxial layers. We found that both NH, and TEGa fluxes have a strong effect on the surface morphology of AlGaN films. A model for the lateral growth mechanism is presented to qualitatively explain this effect. The content of hexagonal AlGaN in the cubic AlGaN films was also related to the NH3 flux. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Cubic;  Hexagon;  Scanning electron microscopy;  atomic layer deposition;  Gallium arsenide
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xu DP; Yang H; Zhao DG; Li JB; Zheng LX; Wang YT; Li SF; Duan LH; Wu RH .Scanning electron microscope studies of cubic AlxGa1-xN films grown on GaAs(100) by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1999,203(1-2):40-44
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