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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
作者: Liu XF;  Liu JP;  Li JP;  Wang YT;  Li LY;  Sun DZ;  Kong MY;  Lin LY
发表日期: 1999
摘要: Double-crystal X-ray diffraction and I-V characterization have been carried out on the GSMBE grown SiGe/Si p-n heterojunction materials. Results show that the SiGe alloys crystalline quality and the misfit dislocations are critical influences on the reverse leakage current. The crystal perfection and/or the degree of metastability of the Sice alloys have been estimated in terms of the model proposed by Tsao with the experimental results. High-quality p-n heterojunction diodes can be obtained by optimizing the SiGe alloy structures, which limit the alloys in the metastable states. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Layers
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu XF; Liu JP; Li JP; Wang YT; Li LY; Sun DZ; Kong MY; Lin LY .Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1999,201(0):551-555
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