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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Hydrogen contaminant and its correlation with background electrons in GaN
作者: Zhang JP;  Sun DZ;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY
发表日期: 1999
摘要: GaN epilayers grown by molecular beam epitaxy using NH3 as the nitrogen source were found to contain hydrogen. We further notice that the background electron concentration in GaN can be correlated with the amount of hydrogen contaminant. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurements of the N Is peak reveal that hydrogen is bound to nitrogen. This will make the corresponding Ga atom see insufficient N counterpart, as can be inferred from the XPS Ga 3d spectrum. We then think that nitrogen in the lattice terminated by hydrogen is an effective nitrogen vacancy and hence a donor accounting for the background electrons.
KOS主题词: Gallium nitride;  Photography--Films;  Finite volume method;  donor
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY .Hydrogen contaminant and its correlation with background electrons in GaN ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,1999,14(5):403-405
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