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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Si-based optoelectronic devices and their attractive applications
作者: Wang QM;  Yang QQ;  Zhu YQ;  Si JJ;  Liu YL;  Lei HB;  Cheng BW;  Yu JZ
发表日期: 1999
摘要: The semiconductor photonics and optoelectronics which have a great significance in the development of advanced high technology of information systems will be discussed in this paper. The emphasis will be put on the recent research carried out in our laboratory in enhanced luminescence from low dimensional materials such as SiGe/Si and Er-doped Si-rich SiO2/Si and Er-doped SixNy/Si. A ring shape waveguide structure, used to promote the effective absorption coefficient in PIN photodetector for 1.3 mu m wavelength and a resonant cavity enhanced structure, used to improve the quantum efficiency and response in heterostructure photo-transistor (HPT), are also proposed in this paper.
刊名: CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang QM; Yang QQ; Zhu YQ; Si JJ; Liu YL; Lei HB; Cheng BW; Yu JZ .Si-based optoelectronic devices and their attractive applications ,CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS ,1999,49(5):837-848
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