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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Investigation on quality of cubic GaN/GaAs(100) by double-crystal X-ray diffraction
作者: Xu DP;  Wang YT;  Yang H;  Zheng LX;  Li JB;  Duan LH;  Wu RH
发表日期: 1999
摘要: Cubic GaN was grown on GaAs(100) by low pressure metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). X-ray diffraction, scanning electron microscope (SEM) and photoluminescence (PL) spectra were performed to characterize the quality of the GaN film. The PL spectra of cubic GaN thin films being thicker than 1.5 mu m were reported. Triple-crystal diffraction to analyze orientation distributions and strain of the thin films was also demonstrated.
KOS主题词: Hexagon;  X-ray crystallography;  atomic layer deposition;  atomic layer deposition;  Optical properties;  Gallium arsenide;  Development
刊名: SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS PHYSICS ASTRONOMY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xu DP; Wang YT; Yang H; Zheng LX; Li JB; Duan LH; Wu RH .Investigation on quality of cubic GaN/GaAs(100) by double-crystal X-ray diffraction ,SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS PHYSICS ASTRONOMY,1999,42(5):517-522
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