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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of dopant on the uniformity of InAs self-organized quantum dots
作者: Wang HL;  Zhu HJ;  Feng SL;  Ning D;  Wang H;  Wang XD;  Jiang DS
发表日期: 1999
摘要: Low-temperature photoluminescence studies have been performed on Si-doped and Be-doped self-organized InAs/GaAs quantum dot (QD) samples to investigate the effect of doping. When Si or Be is doped into the sample, a remarkable decrease in line-width is observed. We relate this phenomenon to a model that takes the Si or Be atoms as the nucleation centers for the formation of QDs. When Si or Be is doped, more small uniform quantum dots are formed. The result will be of significance for the application of self-organized InAs quantum dots in semiconductor devices.
KOS主题词: Infrared radiation;  Development;  Gallium arsenide
刊名: ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang HL; Zhu HJ; Feng SL; Ning D; Wang H; Wang XD; Jiang DS .Effect of dopant on the uniformity of InAs self-organized quantum dots ,ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION,1999,8(8):624-628
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