高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Binding energy of excitons bound to neutral donors in two-dimensional semiconductors
作者: Liu JJ;  Li YX;  Kong XJ;  Li SS
发表日期: 1999
摘要: The binding energies of excitons bound to neutral donors in two-dimensional (2D) semiconductors within the spherical-effective-mass approximation, which are nondegenerate energy bands, have been calculated by a variational method for a relevant range of the effective electron-to-hole mass ratio sigma. The ratio of the binding energy of a 2D exciton bound to a neutral donor to that of a 2D neutral donor is found to be from 0.58 to 0.10. In the limit of vanishing sigma and large sigma, the results agree fairly well with previous experimental results. The results of this approach are compared with those of earlier theories.
KOS主题词: Photoluminescence;  biexcitons
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
837.pdf196KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Liu JJ; Li YX; Kong XJ; Li SS .Binding energy of excitons bound to neutral donors in two-dimensional semiconductors ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1999,16(7):526-528
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Liu JJ]的文章
 [Li YX]的文章
 [Kong XJ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Liu JJ]的文章
 [Li YX]的文章
 [Kong XJ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发