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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Exciton dynamics in self-organized InAs/GaAs quantum dots
作者: Lu ZD;  Li Q;  Xu JZ;  Zheng BZ;  Xu ZY;  Ge WK
发表日期: 1999
摘要: Using a newly-developed population mixing technique we have studied the exciton dynamics in self-organized InAs/GaAs quantum dots (QDs). It is found that the exciton lifetime in self-organized InAs/GaAs QDs is around 1 ns, almost independent of InAs layer thickness. The temperature dependence of the exciton lifetime varies from sample to sample, but no obvious experimental evidence was found that the lifetime is related to the delta-function of density of states in QDs. We have also found that the population mixing technique can be used to directly reveal the band-filling effect in the excited states of the QDs.
KOS主题词: thermal activation;  Time;  Photoluminescence
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Lu ZD; Li Q; Xu JZ; Zheng BZ; Xu ZY; Ge WK .Exciton dynamics in self-organized InAs/GaAs quantum dots ,ACTA PHYSICA SINICA,1999,48(4):744-750
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