高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Self-organization of wire-like InAs nanostructures on InP
作者: Li HX;  Zhuang QD;  Kong XW;  Wang ZG;  Daniels-Race T
发表日期: 1999
摘要: The initial InAs growth on InP(1 0 0) during molecular beam epitaxy has been investigated. The as-grown islands were shaped like nanowires and formed dense arrays over the entire surface in the 3-6 monolayer InAs deposition range. The wires were oriented along the [(1) over bar 1 0] direction. Transmission electron microscopy images confirm that the wires are coherently grown on the substrates. Our results suggest that the coherent wire-shaped island formation may be a possible method to fabricate self-organized InAs nanowires. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Nanowires;  atomic layer deposition;  self-organization;  atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
824.pdf352KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Li HX; Zhuang QD; Kong XW; Wang ZG; Daniels-Race T .Self-organization of wire-like InAs nanostructures on InP ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1999,205(4):613-617
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Li HX]的文章
 [Zhuang QD]的文章
 [Kong XW]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Li HX]的文章
 [Zhuang QD]的文章
 [Kong XW]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发