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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100)
作者: Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Wang YT;  Zhao DG;  Wu RH
发表日期: 1999
摘要: Epitaxial layers of cubic GaN have been grown by metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) with Si-doping carrier concentration ranging from 3 x 10(18) to 2.4 x 10(20)/cm(3). Si-doping decreased the yellow emission of GaN. However, the heavily doped n-type material has been found to induce phase transformation. As the Si-doping concentration increases, the hexagonal GaN nanoparticles increase. Judged from the linewidth of X-ray rocking curve, Si-doping increases the density of dislocations and stacking faults. Based on these observations, a model is proposed to interpret the phase transformation induced by the generated microdefects, such as dislocations and precipitates, and induced stacking faults under heavy Si-doping. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Cubic;  Hexagon;  Photoluminescence;  X-ray crystallography;  Light emitting diodes;  Silicon;  Semiconductors;  Aluminum oxide
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Xu DP; Yang H; Li JB; Li SF; Wang YT; Zhao DG; Wu RH .Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH ,1999,206(1-2):150-154
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