高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Negative differential resistance and the transition to current self-oscillation in GaAs/AlAs superlattices
作者: Wang JN;  Sun BQ;  Wang XR;  Wang HL
发表日期: 1999
摘要: We investigate the transition from static to dynamic electric field domains (EFDs) in a doped GaAs/AlAs superlattice (SL). We show that a transverse magnetic field and/or the temperature can induce current self-oscillations. This observation can be attributed to the negative differential resistance (NDR) effect. Transverse magnetic field and the temperature can increase the NDR of a doped SL. A large NDR can lead to an unstable EFD in a certain range of d.c. bias. (C) 1999 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.
KOS主题词: Semiconductors;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  Doped semiconductor superlattices;  Example;  Modeling;  INSTABILITIES;  Diodes
刊名: SOLID STATE COMMUNICATIONS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
813.pdf132KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Wang JN; Sun BQ; Wang XR; Wang HL .Negative differential resistance and the transition to current self-oscillation in GaAs/AlAs superlattices ,SOLID STATE COMMUNICATIONS,1999,112(7):371-374
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Wang JN]的文章
 [Sun BQ]的文章
 [Wang XR]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Wang JN]的文章
 [Sun BQ]的文章
 [Wang XR]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发