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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Indium composition dependence of the size uniformity of InGaAs quantum dots on (311)B GaAs grown by molecular beam epitaxy
作者: Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Zhou W;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG
发表日期: 1999
摘要: The deposition of InxGa1-xAs (0.2 less than or equal to x less than or equal to 0.5) on (311)B GaAs surfaces using solid source molecular beam epitaxy (MBE) has been studied. Both AFM and photoluminescence emission showed that homogeneous quantum dots could be formed on (311)B GaAs surface when indium composition was around 0.4. Indium composition had a strong influence on the size uniformity and the lateral alignment of quantum dots. Compared with other surface orientation, (100) and (n11) A/B (n=1,2,3), photoluminescence measurement confirmed that (311)B surface is the most advantageous in fabricating uniform and dense quantum dots.
KOS主题词: self-organization;  room temperature;  Surfaces
刊名: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Jiang WH; Xu HZ; Xu B; Zhou W; Gong Q; Ding D; Liang JB; Wang ZG .Indium composition dependence of the size uniformity of InGaAs quantum dots on (311)B GaAs grown by molecular beam epitaxy ,JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY ,1999,15(6):523-526
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