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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Investigation of absorption of nanocrystalline silicon
作者: Ma ZX;  Liao XB;  Kong GL;  Chu JH
发表日期: 1999
摘要: Nanocrystalline silicon embedded SiO2 matrix is formed by annealing the SiO2 films fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition technique. In conjunction with the micro-Ramam spectra, the absorption spectra of the films have been investigated. The blue-shift of absorption edge with decreasing size of silicon crystallites is due to quantum confinement effect. It is found that nanocrystalline silicon is of an indirect band structure, and that the absorption presents an exponential dependance absorption coefficient on photon energy ii! the range of 2.0-3.0 eV, and a sub-band appears in the the range of 1.0-1.5 eV. We believe that the exponential absorption is due to the indirect band-to-band transition of electrons in silicon nanocrystallites, while the Sub-band absorption is ascribed to transitions between the amorphous silicon states existing in the films.
KOS主题词: Raman effect;  Raman spectroscopy;  QUANTUM
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ma ZX; Liao XB; Kong GL; Chu JH .Investigation of absorption of nanocrystalline silicon ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1999,16(11):833-835
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