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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Quantum-dot superluminescent diode: A proposal for an ultra-wide output spectrum
作者: Sun ZZ;  Ding D;  Gong Q;  Zhou W;  Xu B;  Wang ZG
发表日期: 1999
摘要: We propose a novel superluminescent diode (SLD) with a quantum dot (QD) active layer, which should give a wider output spectrum than a conventional quantum well SLD. The device makes use of inhomogeneous broadness of gain spectrum resulting from size inhomogeneity of self-assembled quantum dots grown by Stranski-Krastanow mode. Taking a design made out in the InxGa1-xAs/GaAs system for example, the spectrum characteristics of the device are simulated realistically, 100-200 nm full width of half maximum of output spectrum can be obtained. The dependence of the output spectrum on In composition, size distribution and injection current of the dots active region is also elaborated.
KOS主题词: Quantum dot;  Lasers;  Gallium arsenide;  emission;  Layer;  Operation;  Development
刊名: OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun ZZ; Ding D; Gong Q; Zhou W; Xu B; Wang ZG .Quantum-dot superluminescent diode: A proposal for an ultra-wide output spectrum ,OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS,1999,31(12):1235-1246
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