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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electronic characteristics of InAs/GaAs self-assembled quantum dots by deep level transient spectroscopy
作者: Wang HL;  Ning D;  Zhu HJ;  Chen F;  Wang H;  Wang XD;  Feng SL
发表日期: 2000
摘要: A deep level transient spectroscopy technique has been used to determine the emission activation energies and capture barriers for electrons and holes in InAs self-assembled quantum dots embedded in GaAs. The ground electron and hole energies relative to their respective energy band edges of GaAs are 0.13 and 0.09 eV. Measurements show that the capture cross section of quantum dots is thermally activated. The capture barrier of quantum dots for electrons and holes are 0.30 and 0.26 eV, respectively. The results fit well with the results of photoluminescence spectroscopy measurements. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Deep level transient spectroscopy;  activation energy;  ab initio calculations;  Development
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang HL; Ning D; Zhu HJ; Chen F; Wang H; Wang XD; Feng SL .Electronic characteristics of InAs/GaAs self-assembled quantum dots by deep level transient spectroscopy ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2000,208(1-4):107-112
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