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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The effect of dopant Si on the uniformity of self-organized InAs quantum dots
作者: Wang HL;  Zhu HJ;  Li Q;  Ning D;  Wang H;  Wang XD;  Deng YM;  Feng SL
发表日期: 1999
摘要: The photoluminescence in directly si-doped self-organized InAs quantum dots was systematically studied. With doping, a decrease in linewidth and a little blue shift in peak were observed by PL measurement. The results show that direct doping when growing InAs layer may be helpful to the formation of uniform small quantum dots. The work will be meaningful for the fabrication of self-organized InAs quantum dots semiconductor device.
刊名: JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang HL; Zhu HJ; Li Q; Ning D; Wang H; Wang XD; Deng YM; Feng SL .The effect of dopant Si on the uniformity of self-organized InAs quantum dots ,JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,1999,18(6):423-426
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