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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A study of Si1-xGex/Si quantum-well intermixing by photocurrent spectroscopy
作者: Li C;  Yang QQ;  Chen YH;  Wang HJ;  Wang JZ;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2000
摘要: Photocurrent spectroscopy has been used to study quantum-well intermixing in this paper. The cut-off wavelength of the photodiodes based on the implanted and annealed materials is significantly reduced, compared with that measured in annealed-only photodetectors. The bandgap of SiGe quantum well in implanted and annealed samples is blue-shifted by up to 97 meV, relative to that in annealed-only samples. (C) 2000 Elsevier Science S.A. All rights reserved.
KOS主题词: PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY;  Optoelectronic devices;  Ion implantation
刊名: THIN SOLID FILMS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li C; Yang QQ; Chen YH; Wang HJ; Wang JZ; Yu JZ; Wang QM .A study of Si1-xGex/Si quantum-well intermixing by photocurrent spectroscopy ,THIN SOLID FILMS,2000,359(2):236-238
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