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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The investigations on semi-insulating GaAs by surface photovoltaic spectroscopy
作者: Chen YB;  Jiang DS;  Wang RZ;  Zheng HJ;  Sun BQ
发表日期: 2000
摘要: The surface photovoltage (SPV) effect induced by the defect states in semi-insulating (SI) GaAs was studied. The PV response below the band edge was measured at room temperature with a de optical biasing. The spectra were found to be strongly dependent on the surface recombination and were attributed to formation of the carrier concentration gradient near the surface region, showing that SPV is a very sensitive and nondestructive technique for characterizing the surface quality of the SI-GaAs wafers.
刊名: JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen YB; Jiang DS; Wang RZ; Zheng HJ; Sun BQ .The investigations on semi-insulating GaAs by surface photovoltaic spectroscopy ,JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2000,19(1):15-18
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