高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Steady and transient optical properties of cubic InGaN epilayers
作者: Xu ZY;  Liu BL;  Li SF;  Yang H;  Ge WK
发表日期: 2000
摘要: Photoluminescence (PL) and time-resolved PI, were employed to study the steady and transient optical properties of cubic InxGa1-xN epilayers grown by MBE. The results suggest that the PL transitions in InGaN epilayers are mainly from localized exciton states. The localization energies are estimated to be 60 meV, independent of In composition. The PL decay is characterized by a hi-exponential dependence. The fast process (50 ps at 12K) is related to the fast relaxation of excitons, while a slower contribution (200-270 ps at 12K) is attributed to the decay process of localized excitons.
刊名: JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1408.pdf200KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Xu ZY; Liu BL; Li SF; Yang H; Ge WK .Steady and transient optical properties of cubic InGaN epilayers ,JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2000,19(1):11-14
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Xu ZY]的文章
 [Liu BL]的文章
 [Li SF]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Xu ZY]的文章
 [Liu BL]的文章
 [Li SF]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发