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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Absorption spectra of nanocrystalline silicon embedded in SiO2 matrix
作者: Ma ZX;  Liao XB;  Kong GL;  Chu JH
发表日期: 2000
摘要: Nanocrystalline silicon (nc-Si) embedded SiO2 matrix has been formed by annealing the SiOx films fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique. Absorption coefficient and photoluminescence of the films have been measured at room temperature. The experimental results show that there is an "aUrbach-like" b exponential absorption in the spectral range of 2.0-3.0 eV. The relationship of (alpha hv)(1/2) proportional to(hv - E-g) demonstrates that the luminescent nc-Si have an indirect band structure. The existence of Stokes shift between photoluminescence and absorption edge indicates that radiative combination can take place not only between electron states and hole states but also between shallow trap states of electrons and holes. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Opacity (Optics);  absorption coefficient.;  Photoluminescence;  Porous silicon
刊名: MATERIALS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ma ZX; Liao XB; Kong GL; Chu JH .Absorption spectra of nanocrystalline silicon embedded in SiO2 matrix ,MATERIALS LETTERS,2000,42(6):367-370
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