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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effective method for evaluation of semiconductor laser quality
作者: Li HY;  Qi LY;  Shi JW;  Jin ES;  Li ZT;  Gao DS;  Yu JZ;  Guo L
发表日期: 2000
摘要: The measurements of one hundred 1.3 mu m planar buried crescent (PBC) structure InGaAsP/InP lasers demonstrate that parameters given by the electrical derivative of varied temperature and the variation of the parameters with temperature can be used to appraise the quality and reliability of semiconductor lasers effectual. By measurement of electrical derivative curves one can evaluate the quality of epitaxial wafer and chip, find the problems in the material and the technology, offer the useful information on increasing the quality and improving the technology of devices. (C) 2000 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.
KOS主题词: Reliability
刊名: MICROELECTRONICS RELIABILITY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li HY; Qi LY; Shi JW; Jin ES; Li ZT; Gao DS; Yu JZ; Guo L .Effective method for evaluation of semiconductor laser quality ,MICROELECTRONICS RELIABILITY,2000,40(2):333-337
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