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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Anomaly of the current self-oscillation frequency in the sequential tunneling of a doped GaAs/AlAs superlattice
作者: Wang XR;  Wang JN;  Sun BQ;  Jiang DS
发表日期: 2000
摘要: An anomalous behavior of the current self-oscillation frequency is observed in the dynamic de voltage bands, emerging from each sawtoothlike branch of the current-voltage characteristic of a doped GaAs/A1As superlattice in the transition process from static to dynamic electric field domain formations. Varying the applied de voltage at a fixed temperature, we find that the frequency increases while the averaged current decreases. Inside each voltage band, the frequency has a strong voltage dependence in the temperature range where the averaged current changes with the applied de voltage. This dependence can be understood in terms of motion of the system along a limit cycle.
KOS主题词: Superlattices as materials;  room temperature;  Diodes;  Example;  Modeling;  INSTABILITIES;  Transportation
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang XR; Wang JN; Sun BQ; Jiang DS .Anomaly of the current self-oscillation frequency in the sequential tunneling of a doped GaAs/AlAs superlattice ,PHYSICAL REVIEW B,2000,61(11):7261-7264
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