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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Microstructure of SiOx : H films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition
作者: Ma ZX;  Liao XB;  Kong GL;  Chu JH
发表日期: 2000
摘要: The micro-Raman spectroscopy and infrared (IR) spectroscopy have been performed for the study of the microstructure of amorphous hydrogenated oxidized silicon (alpha-SiOx,:H) films prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition technique. It is found that a-SiOx:H consists of two phases: an amorphous silicon-rich phase and an oxygen-rich phase mainly comprised of HSi-SiO2 and HSi-O-3. The Raman scattering; results exhibit that the frequency of TO-like mode of amorphous silicon red-shifts with decreasing size of silicon-rich region. This is related to the quantum confinement effects, similar to the nanocrystalline silicon.
KOS主题词: Raman effect;  Silicon;  Photoluminescence;  Infrared spectra;  Spectrum analysis
刊名: CHINESE PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ma ZX; Liao XB; Kong GL; Chu JH .Microstructure of SiOx : H films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition ,CHINESE PHYSICS,2000,9(4):309-312
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