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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate
作者: Sun ZZ;  Wu J;  Lin F;  Liu FQ;  Chen YH;  Ye XL;  Jiang WH;  Li YF;  Xu B;  Wang ZG
发表日期: 2000
摘要: Self-organized InAs/In0.53Ga0.47As quantum dot (QD) multilayers were grown on InP substrate by molecular beam epitaxy. The structural and optical properties were characterized by using cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) and photoluminescence (PL), respectively. Vertically aligned InAs quantum dots multilayer on InP substrate is demonstrated for the first time. Photoluminescence with a line width of similar to 26 meV was observed from the QDs multilayer. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  atomic layer deposition;  Development;  Matrix;  Gallium arsenide
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun ZZ; Wu J; Lin F; Liu FQ; Chen YH; Ye XL; Jiang WH; Li YF; Xu B; Wang ZG .The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2000,212(1-2):360-363
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