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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence in Si and Be directly doped self-organized InAs/GaAs quantum dots
作者: Wang HL;  Yang FH;  Feng SL
发表日期: 2000
摘要: We report on the photoluminescence in directly Si- and Be-doped self-organized InAs/GaAs quantum dots (QDs). When the doping level is low, a decrease in linewidth is observed. However, it will decrease the uniformity and photoluminescence peak intensity of QDs when the doping level is high. We relate this phenomenon to a model that takes the Si or Be atoms as the nucleation centers for the formation of QDs. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Infrared radiation;  Development;  Gallium arsenide
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang HL; Yang FH; Feng SL .Photoluminescence in Si and Be directly doped self-organized InAs/GaAs quantum dots ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2000,212(1-2):35-38
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