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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A study on strong room temperature photoluminescence of a-SiNx : H films
作者: Wang Y;  Yue RF;  Li GH;  Liao XB;  Wang YQ;  Diao HW;  Kong GL
发表日期: 2000
摘要: Photoluminescence measurements have been performed in Si-rich a-SiNx:H (x less than or equal to 1.3) alloys prepared by glow discharge. It is observed that the blue shift of the peak of room temperature luminescence spectrum with increasing N content parallels increasing intensity. Two distinct luminescence mechanisms are proposed in a-SiNx:H with the threshold near x = 0.8. For low x, the samples show typical luminescence properties of a-Si:H, while for high x, the normalized luminescence bands are independent of temperature. Combining percolation theory, the luminescence origins are discussed on the basis of Brodsky's quantum well model. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Porous silicon
刊名: MATERIALS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang Y; Yue RF; Li GH; Liao XB; Wang YQ; Diao HW; Kong GL .A study on strong room temperature photoluminescence of a-SiNx : H films ,MATERIALS LETTERS,2000,44(2):87-90
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