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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The fabrication of thick SiO2 layer by anodization
作者: Ou HY;  Yang QQ;  Lei HB;  Wang QM;  Hu XW
发表日期: 2000
摘要: Silicon-based silica waveguide (SiO2/Si) devices have huge applications in optical telecommunication. SiO2 up to 25-mu m thick is necessary for some passive SiO2/Si waveguide devices. Oxidizing porous silicon to obtain thick SiO2 as cladding layer is presented. The experimental results of porous layer and oxidized porous layer formation were given. The relationship between cracking of SiO2 and temperature varying rate was given experimentally. Such conclusions are drawn: oxidation rate of porous silicon is several orders faster than that of bulk silicon; appropriate temperature variation rate during oxidation can prevent SiO2 on silicon substrates from cracking, and 25 mu m thick silicon dioxide layer has been obtained. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Porous silicon;  Wave guides;  Silicon
刊名: OPTICAL MATERIALS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ou HY; Yang QQ; Lei HB; Wang QM; Hu XW .The fabrication of thick SiO2 layer by anodization ,OPTICAL MATERIALS,2000,14(3):271-275
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