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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers
作者: Chen LH;  Xu ZT;  Ma XY;  Zhang JM;  Yang GW;  Xu JY
发表日期: 2000
摘要: In this paper, we reported on the fabrication of 980 nm InGaAs/InGaAsP strained quantum-well (QW) lasers with broad waveguide. The laser structure was grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition on a n(+)- GaAs substrate. For 3 mu m stripe ridge waveguide lasers, the threshold current is 30 mA and the maximum output power and the output power operating in fundamental mode are 350 mW and 200 mW, respectively. The output power from the single mode fiber is up to 100 mW, the coupling efficiency is 50%. We also fabricated 100 mu m broad stripe coated lasers with cavity length of 800 mu m, a threshold current density of 170 A/cm(2), a high slope efficiency of 1.03 W/A and a far-field pattern of 40 x 6 degrees are obtained. The maximum output power of 3.5 W is also obtained for 100 mu m wide coated lasers. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: biocommunications;  Epitaxy
刊名: OPTICAL MATERIALS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Chen LH; Xu ZT; Ma XY; Zhang JM; Yang GW; Xu JY .High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers ,OPTICAL MATERIALS,2000,14(3):201-204
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