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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Tuning of conduction intersublevel absorption wavelengths in (In, Ga)As/GaAs quantum-dot nanostructures
作者: Pan D;  Towe E;  Kennerly S;  Kong MY
发表日期: 2000
摘要: We demonstrate that by increasing the amount of (In, Ga)As deposit in a quantum dot layer, the intersublevel absorption wavelength for (In, Ga)As/GaAs quantum-dot infrared photodetectors can be blue-shifted from 15 to 10 mu m while the photoluminescence peak is red-shifted. We directly compare the measured energy spacing between intersublevels obtained from infrared absorption spectroscopy with those obtained from photoluminescence spectroscopy. We find that the intersublevel energy spacing determined from absorption measurements is much larger than that obtained from the photoluminescence measurements. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)04524-1].
KOS主题词: ab initio calculations;  Islands;  Development;  Gallium arsenide
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Pan D; Towe E; Kennerly S; Kong MY .Tuning of conduction intersublevel absorption wavelengths in (In, Ga)As/GaAs quantum-dot nanostructures ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2000,76(24):3537-3539
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