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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate
作者: Sun S;  Wu J;  Liu FQ;  Zu HZ;  Chen YH;  Ye XL;  Jiang WH;  Xu B;  Wang ZG
发表日期: 2000
摘要: Self-assembled In0.9Ga0.1As, In0.9Al0.1As, and InAs quantum dots (QD) were fabricated in an InAlAs matrix lattice-matched to an InP substrate by molecular beam epitaxy. Preliminary characterizations were performed using transmission electron microscopy, photoluminescence, and reflection high-energy electron diffraction. Experimental results reveal clear differences in QD formation, size distribution, and luminescence between the InAs and In-0.9(Ga/Al)(0.1)As samples, which show the potential of introducing ternary compositions to adjust the structural and optical properties of QDs on an InP substrate. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)10213-0].
KOS主题词: atomic layer deposition;  Development;  Gallium arsenide;  Semiconductors;  Thickness;  Lasers;  Size;  Dimensions
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun S; Wu J; Liu FQ; Zu HZ; Chen YH; Ye XL; Jiang WH; Xu B; Wang ZG .Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2000,88(1):533-536
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