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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence of erbium-doped hydrogenated amorphous SiOx(0 < x < 2)
作者: Liang JJ;  Wang YQ;  Chen WD;  Wang ZG;  Chang Y
发表日期: 2000
摘要: Hydrogenated amorphous SiOx films are fabricated via plasma enhanced chemical vapor deposition technique. After erbium implantation and rapid thermal annealing, photoluminescence (PL) are measured at 77 K and room temperature (RT), respectively. We observed the strong PL at 1.54 mu m at RT. The 1.54 mu m PL intensity changes with the variation of concentration of oxygen. The most intense PL at 77 K in a-SiOx:H (Er) corresponds to O/Si = 1.0 and at RT to O/Si = 1.76. Based on our results, we propose that Er ions contributed to PL come from O-rich region in the film. Er ions in Si-rich region have no relation with FL. Temperature dependence of the intensity of the 1.54 mu m line of the Er3+ transition displays a very weak temperature quenching in Er-doped hydrogenated amorphous Si. The PL intensity at 250 K is a little more one half of that at 15 K.
KOS主题词: Erbium;  Luminescence;  Oxygen content;  Dissolved oxygen;  Silicon;  Electroluminescence;  Luminescence;  Erbium
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Liang JJ; Wang YQ; Chen WD; Wang ZG; Chang Y .Photoluminescence of erbium-doped hydrogenated amorphous SiOx(0 < x < 2) ,ACTA PHYSICA SINICA,2000,49(7):1386-1389
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