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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Atomic-force-microscopy investigation of the formation and evolution of Ge islands on GexSi1-x strained layers
作者: Huang CJ;  Li DZ;  Yu Z;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2000
摘要: A constant amount of Ge was deposited on strained GexSi1-x layers of approximately the same thickness but with different alloy compositions, ranging from x = 0.06 to x = 0.19. From their atomic-force-microscopy images, we found that both the size and density of Ge islands increased with the Ge composition of the strained layer. By conservation of mass, this implies that these islands must incorporate material from the underlying strained layer. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)03529-4].
KOS主题词: Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Huang CJ; Li DZ; Yu Z; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM .Atomic-force-microscopy investigation of the formation and evolution of Ge islands on GexSi1-x strained layers ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2000,77(3):391-393
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