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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy
作者: Chen YH;  Wang ZG;  Qian JJ;  Yang Z
发表日期: 2000
摘要: The strong in-plane optical anisotropy of (001) semi-insulating GaAs, which comes from the submicron region under the surface, has been observed by reflectance difference spectroscopy. The optical anisotropy can be explained by the anisotropic strain that is introduced by the asymmetric distribution of 60 degrees dislocations during surface polishing. The simulated spectra reproduce the line shape of the experimental ones. The simulations show that the anisotropic strain is typically about 2.3x10(-4). (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)01315-3].
KOS主题词: Development
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen YH; Wang ZG; Qian JJ; Yang Z .Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2000,88(3):1695-1697
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