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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
作者: Wang JN;  Sun BQ;  Wang XR;  Wang YQ;  Ge WK;  Jiang DS;  Wang HL
发表日期: 2000
摘要: We have observed the transition from static to dynamic electric field domain formation induced by a transverse magnetic field and the sample temperature in a doped GaAs/AlAs superlattice. The observations can be very well explained by a general analysis of instabilities and oscillations of the sequential tunnelling current in superlattices based solely on the magnitude of the negative differential resistance region in the tunnelling characteristic of a single barrier. Both increasing magnetic field and sample temperature change the negative differential resistance and cause the transition between static and dynamic electric field domain formation. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: metallic superlattices;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  vibrating bodies
刊名: PHYSICA E
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang JN; Sun BQ; Wang XR; Wang YQ; Ge WK; Jiang DS; Wang HL .Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice ,PHYSICA E,2000,8(2):141-145
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