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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
作者: Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG
发表日期: 2000
摘要: In this paper, In0.5Ga0.5As quantum dots are fabricated on GaAs (100) and (n11)A/B (n = 3, 5) substrates by molecular beam epitaxy. Atomic force microscopy shows that the quantum dots on each oriented substrate are different in size, shape and distribution. In addition, photoluminescence spectra from these quantum dots are different in emission peak position, line width and integrated intensity. Auger electron spectra demonstrate that In concentration is larger near the surface than inside quantum dots, suggesting the occurrence of surface segregation effect during the growth of InGaAs dots. The surface segregation effect is found to be related to substrate orientation. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Quantum dots;  atomic layer deposition;  Photoluminescence;  Segregation;  Islands;  Wells;  discs
刊名: PHYSICA E
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Jiang WH; Xu HZ; Xu B; Ye XL; Zhou W; Ding D; Liang JB; Wang ZG .Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy ,PHYSICA E,2000,8(2):134-140
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